Быстро - это не цифра. Время прогрева кристалла транзистора от долей до единиц миллисекунд. Время прогрева корпуса транзистора уже сотни мс. Скорость распространения тепла равна скорости звука в среде. Но нельзя забывать про тепловую инерцию. Температура накапливается с постоянной времени соотношения теплоемкости и теплопередачи.
А не важно абсолютное значение температуры. Важно изменение температуры перехода. Смещение перехода имеет коэффициент 2.5 мВ на градус.
По сути, современные транзисторы так и устроены. Если у 10-и транзисторов суммарная масса подложки будет больше, чем у одного мощного, то это улучшит тепловую динамку. Но тепловая модуляция изменится не сильно. При прочих равных, объем перехода будет примерно тем же, поскольку он определяется плотностью тока.